Технічний опис BF799WE6327 INF
Description: RF TRANSISTOR, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 280mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 800MHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active.
Інші пропозиції BF799WE6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
BF799W E6327 | Виробник : INFINEON | SOT323-LK PB-FRE |
на замовлення 62495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
BF799WE6327 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
![]() |
BF799WE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
BF799WE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 280mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 800MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active |
товару немає в наявності |