BF862.215 NXP
Код товару: 116950
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: NXP
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -20 В
Струм стоку Idd, А: 0,025 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10/
Примітка: Польові транзистори N-канал (JFET)
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BF862.215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BF862,215 | NXP |
N-кан. JFET, SOT-23 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
BF862,215 | NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET JFET SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 25mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
BF862,215 | NXP Semiconductors |
RF JFET Transistors JFET N-CH 20V 10MA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
BF862,215 | NXP |
Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFETDrainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10 Durchbruchspannung Vbr: -20 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25 Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
BF862,215 | NXP |
Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFETDrainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10 Durchbruchspannung Vbr: -20 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25 Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
| BF862,215 |
![]() |
Виробник: NXP
N-кан. JFET, SOT-23 Транзистори
N-кан. JFET, SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BF862,215 |
![]() |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET JFET SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 20 V
Description: RF MOSFET JFET SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BF862,215 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
RF JFET Transistors JFET N-CH 20V 10MA
RF JFET Transistors JFET N-CH 20V 10MA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BF862,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10
Durchbruchspannung Vbr: -20
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10
Durchbruchspannung Vbr: -20
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BF862,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10
Durchbruchspannung Vbr: -20
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: NXP - BF862,215 - JFET-Transistor, JFET, -20 V, 10 mA, 25 mA, -1.2 V, SOT-23, JFET
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10
Durchbruchspannung Vbr: -20
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 25
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: -1.2
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| 5,1 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-5K1R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1364
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 5,1 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 5,1 кОм
Точність: ±1% F
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.35 грн |
| 1000+ | 0.27 грн |
| 10000+ | 0.22 грн |
| 2 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1352
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 2 кОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 2352 шт
- 532 шт - склад
- 1820 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 20000 шт
- 20000 шт - очікується 06.10.2026
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| 5,6 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-5R6-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1315
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 5,6 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 5,6 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 20492 шт
- 9620 шт - склад
- 1200 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3100 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1340 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5232 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 2400 шт
- 2400 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| 47 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-47R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1236
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 47 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 47 Ом
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 19575 шт
- 15375 шт - склад
- 4200 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 400 шт
- 400 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| IRLML2402TRPBF Код товару: 1173
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 1,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 1,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,25 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 110/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3692 шт
- 3242 шт - склад
- 85 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 169 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 171 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 2.90 грн |
| 100+ | 2.50 грн |







