Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BF888H6327
BF888H6327

BF888H6327 Infineon Technologies

INFNS14630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 27dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1553+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 1553
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BF888H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 27dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 30mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V, Frequency - Transition: 47GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Part Status: Active.

Інші пропозиції BF888H6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BF 888 H6327 BF 888 H6327 Виробник : Infineon Technologies RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
товар відсутній