Продукція > INFINEON > BFG193 E6433

BFG193 E6433 INFINEON


Виробник: INFINEON
SOT223
на замовлення 212000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFG193 E6433 INFINEON

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10.5dB ~ 16dB, Power - Max: 600mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BFG193 E6433

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BFG 193 E6433 BFG 193 E6433 Infineon Technologies BFG193.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 193 E6433 BFG 193 E6433 Infineon Technologies BFG193.pdf RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 193 E6433 Vishay Semiconductors BFG193.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 193 E6433 BFG193.pdf
BFG 193 E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 600mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 193 E6433 BFG193.pdf
BFG 193 E6433
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFG 193 E6433 BFG193.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.