BFN 26 E6327 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.18 грн |
| 10+ | 35.42 грн |
| 100+ | 19.48 грн |
| 500+ | 12.03 грн |
| 1000+ | 9.07 грн |
| 3000+ | 7.67 грн |
| 6000+ | 6.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFN 26 E6327 Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Power - Max: 360 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Frequency - Transition: 70MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BFN 26 E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFN26E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORPower - Max: 360 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Frequency - Transition: 70MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
|
 |
BFN26E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.2A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 70MHz |
товару немає в наявності |