Продукція > INF > BFP450E6327

BFP450E6327 INF


INFNS10848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: INF
07+;
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP450E6327 INF

Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 15.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V, Frequency - Transition: 24GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFP450E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFP450E6327 Виробник : INFINEON INFNS10848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 08+
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFP450 E6327 Виробник : INFINEON SOT343-AN
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFP450E6327 BFP450E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS10848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 4V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
товар відсутній
BFP 450 E6327 BFP 450 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BFP450_DS_v02_00_EN-2309353.pdf RF Bipolar Transistors TRANS GP BJT NPN 4.5V 0.1A
товар відсутній
BFP 450 E6327 Виробник : onsemi / Fairchild Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній