
BFP420FH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 9.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP420FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 25GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BFP420FH6327XTSA1 за ціною від 9.56 грн до 29.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
на замовлення 8939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12989 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.21W Case: TSFP-4 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
BFP420FH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.21W Case: TSFP-4 Current gain: 60...130 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz |
товару немає в наявності |