Технічний опис BFP520 H6327 Infineon
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343, Type of transistor: NPN, Technology: SIEGET™, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: RF, Collector-emitter voltage: 2.5V, Collector current: 40mA, Power dissipation: 0.1W, Case: SOT343, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 45GHz.
Інші пропозиції BFP520 H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP 520 H6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
|
 |
BFP520H6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 2.5V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.1W Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 45GHz |
товару немає в наявності |