BFS483E6327

BFS483E6327 Infineon Technologies


8524infineon_lna_bfs483.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFS483E6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 19dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 65mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції BFS483E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFS 483 E6327 BFS 483 E6327 Виробник : Infineon Technologies bfs483.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142710876006c5 Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
товар відсутній