BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGH40N120HF BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 40A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BGH40N120HF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BGH40N120HF | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |