
BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 905.08 грн |
2+ | 580.37 грн |
5+ | 548.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGH50N65HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 357W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 308nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Turn-on time: 54ns, Turn-off time: 256ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BGH50N65HF1 за ціною від 649.77 грн до 1086.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BGH50N65HF1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Turn-on time: 54ns Turn-off time: 256ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|