BGH50N65HS1

BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+800.45 грн
2+616.79 грн
5+583.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BGH50N65HS1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 357W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 308nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Turn-on time: 54ns, Turn-off time: 256ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BGH50N65HS1 за ціною від 673.63 грн до 960.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH50N65HS1 BGH50N65HS1 Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF8149597E0180D4&compId=BGH50N65HS1.pdf?ci_sign=512a222d71200c717eee9e70ecf800fcbcfa85f6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.54 грн
2+768.62 грн
5+699.86 грн
150+673.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.