BGH50N65ZF1

BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+719.44 грн
2+567.84 грн
5+536.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BGH50N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 357W, Case: TO247-4, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 308nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Turn-on time: 54ns, Turn-off time: 476ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BGH50N65ZF1 за ціною від 619.38 грн до 863.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH50N65ZF1 BGH50N65ZF1 Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF813D8F92C340D4&compId=BGH50N65ZF1.pdf?ci_sign=612acbd7b9cac9d5790092f856fc2b593da02a34 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+863.32 грн
2+707.62 грн
5+644.19 грн
30+637.51 грн
150+619.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.