BGH75N120HF1

BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Gate charge: 398nC
на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+775.86 грн
3+651.87 грн
10+576.03 грн
30+517.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3, Collector current: 75A, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Power dissipation: 568W, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 140ns, Turn-off time: 443ns, Gate charge: 398nC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BGH75N120HF1 за ціною від 621.53 грн до 931.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH75N120HF1 BGH75N120HF1 Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Collector current: 75A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 568W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Gate charge: 398nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+931.03 грн
3+812.33 грн
10+691.24 грн
30+621.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.