
BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Turn-off time: 443ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 568W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 789.71 грн |
2+ | 551.35 грн |
5+ | 520.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 140ns, Gate charge: 398nC, Turn-off time: 443ns, Collector current: 75A, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 568W, Pulsed collector current: 200A, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BGH75N120HF1 за ціною від 624.76 грн до 947.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BGH75N120HF1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 140ns Gate charge: 398nC Turn-off time: 443ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 568W Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|