BGH75N120HF1

BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047 Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Turn-off time: 443ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 568W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.71 грн
2+551.35 грн
5+520.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BGH75N120HF1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 140ns, Gate charge: 398nC, Turn-off time: 443ns, Collector current: 75A, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 568W, Pulsed collector current: 200A, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Type of transistor: IGBT, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BGH75N120HF1 за ціною від 624.76 грн до 947.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH75N120HF1 BGH75N120HF1 Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE83ECCECE227760D5&compId=BGH75N120HF1.pdf?ci_sign=949d4a4e398410fc506a42f8d5813cc0c24ea047 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Gate charge: 398nC
Turn-off time: 443ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 568W
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+947.65 грн
2+687.07 грн
5+624.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.