
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 405W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 444nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 922.13 грн |
2+ | 632.49 грн |
4+ | 597.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4, Type of transistor: IGBT, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Case: TO247-4, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 405W, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 444nC, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Pulsed collector current: 300A, Turn-on time: 84ns, Turn-off time: 565ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BGH75N65ZF1 за ціною від 689.99 грн до 1106.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BGH75N65ZF1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Case: TO247-4 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 405W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 444nC Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 300A Turn-on time: 84ns Turn-off time: 565ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|