
BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 565ns
Turn-on time: 84ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1017.80 грн |
2+ | 645.86 грн |
4+ | 611.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4, Type of transistor: IGBT, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Power dissipation: 405W, Case: TO247-4, Mounting: THT, Gate charge: 444nC, Kind of package: tube, Turn-off time: 565ns, Turn-on time: 84ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 75A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Collector-emitter voltage: 650V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BGH75N65ZF1 за ціною від 722.92 грн до 1221.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BGH75N65ZF1 | Виробник : BASiC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench Power dissipation: 405W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 444nC Kind of package: tube Turn-off time: 565ns Turn-on time: 84ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|