Технічний опис BLP7G22-10,135 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V 12HVSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 700MHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 2W, Gain: 27dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 12-HVSON (4x6), Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 110 mA.
Інші пропозиції BLP7G22-10,135
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BLP7G22-10,135 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 65V 12-Pin HVSON EP T/R |
товару немає в наявності |
||
| BLP7G22-10,135 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V 12HVSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 700MHz ~ 2.2GHz Power - Output: 2W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 12-HVSON (4x6) Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 110 mA |
товару немає в наявності |