Технічний опис BP 104 SR OSRAM Opto Semiconductors
Category: Photodiodes, Description: PIN IR photodiode; DIL; SMD; 850nm; 400÷1100nm; 60°; 2nA; 150mW, Type of photoelement: PIN IR photodiode, Case: DIL, Mounting: SMD, Wavelength of peak sensitivity: 850nm, Wavelength: 400...1100nm, Viewing angle: 60°, Max. off-state voltage: 20V, Turn-on time: 20ns, Turn-off time: 20ns, Active area: 4.84mm2, Dark current: 2nA, LED lens: transparent, Optical power: 150mW, LED version: reverse mount, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції BP 104 SR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BP 104 SR | Виробник : OSRAM Opto Semiconductors |
 Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin SMT DIL SMT |
товар відсутній |
|
| BP 104 SR | Виробник : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; DIL; SMD; 850nm; 400÷1100nm; 60°; 2nA; 150mW Type of photoelement: PIN IR photodiode Case: DIL Mounting: SMD Wavelength of peak sensitivity: 850nm Wavelength: 400...1100nm Viewing angle: 60° Max. off-state voltage: 20V Turn-on time: 20ns Turn-off time: 20ns Active area: 4.84mm2 Dark current: 2nA LED lens: transparent Optical power: 150mW LED version: reverse mount кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
| BP 104 SR | Виробник : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; DIL; SMD; 850nm; 400÷1100nm; 60°; 2nA; 150mW Type of photoelement: PIN IR photodiode Case: DIL Mounting: SMD Wavelength of peak sensitivity: 850nm Wavelength: 400...1100nm Viewing angle: 60° Max. off-state voltage: 20V Turn-on time: 20ns Turn-off time: 20ns Active area: 4.84mm2 Dark current: 2nA LED lens: transparent Optical power: 150mW LED version: reverse mount |
товар відсутній |