BPW 34 B OSRAM Opto Semiconductors
Виробник: OSRAM Opto SemiconductorsPhotodiode PIN Chip 850nm 0.2A/W Sensitivity Automotive 2-Pin DIL
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BPW 34 B OSRAM Opto Semiconductors
Description: AMS OSRAM GROUP - BPW34-B - Photodiode, 60°, 2nA, 850nm, DIP-2, tariffCode: 85414900, Bauform - Diode: DIP, Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°, Dunkelstrom: 2000pA, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C.
Інші пропозиції BPW 34 B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BPW34-B | Виробник : AMS OSRAM GROUP |
Description: AMS OSRAM GROUP - BPW34-B - Photodiode, 60°, 2nA, 850nm, DIP-2 tariffCode: 85414900 Bauform - Diode: DIP Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60° Dunkelstrom: 2000pA rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 850nm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C |
товару немає в наявності |
|
| BPW34B | Виробник : ams-OSRAM USA INC. |
Description: SENSOR PHOTODIODE 850NM 2DIP Packaging: Bulk Package / Case: 2-DIP (0.200", 5.08mm) Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Diode Type: Pin Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Response Time: 25ns Viewing Angle: 120° Spectral Range: 350nm ~ 1100nm Active Area: 7.34mm² Current - Dark (Typ): 2nA Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 32 V |
товару немає в наявності |
||
 |
BPW 34 B | Виробник : ams OSRAM | Photodiodes PHOTODIODE T/H |
товару немає в наявності |