BS2101FE2 Rohm Semiconductor
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 172+ | 71.02 грн |
| 180+ | 67.84 грн |
| 250+ | 65.12 грн |
| 500+ | 60.53 грн |
| 1000+ | 54.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS2101FE2 Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 10V ~ 18V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOP, Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 20ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: High-Side or Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.6V, Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA, Part Status: Last Time Buy, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції BS2101FE2 за ціною від 45.50 грн до 121.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BS2101F-E2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOP Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA Part Status: Last Time Buy DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS2101F-E2 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Gate Drivers 600V HV High/Low Gate Drvr 10-18V |
на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BS2101F-E2 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BS2101F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 18V Versorgungsspannung, 220ns Verzögerung, SOP-8 Sinkstrom: 130 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 2 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 60 Bauform - Treiber: SOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 18 Eingabeverzögerung: 220 Ausgabeverzögerung: 220 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BS2101F-E2 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BS2101F-E2 - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V bis 18V Versorgungsspannung, 220ns Verzögerung, SOP-8 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BS2101F-E2 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 10V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOP Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 20ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA Part Status: Last Time Buy DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |