BSC016N03MS G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.66 грн |
| 10+ | 105.14 грн |
| 100+ | 66.60 грн |
| 250+ | 65.47 грн |
| 500+ | 53.24 грн |
| 1000+ | 45.29 грн |
| 2500+ | 45.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC016N03MS G Infineon Technologies
Description: BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 225A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSC016N03MS G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC016N03MSG | Infineon |
|
на замовлення 7713 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSC016N03MSG |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.


