Продукція > INFINEON > BSC048N025SG

BSC048N025SG infineon


Виробник: infineon
08+
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC048N025SG infineon

Description: MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSC048N025SG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC048N025S G BSC048N025S G Виробник : Infineon Technologies BSC048N025S_Rev1.0_G.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 19A/89A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.