BSC118N10NS G Infineon Technologies
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.35 грн |
| 10+ | 87.65 грн |
| 100+ | 55.06 грн |
| 500+ | 44.60 грн |
| 1000+ | 41.09 грн |
| 2500+ | 37.88 грн |
| 5000+ | 35.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC118N10NS G Infineon Technologies
Description: BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V.
Інші пропозиції BSC118N10NS G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC118N10NSG | Виробник : Infineon technologies |
 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BSC118N10NSG | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |