Продукція > Транзистори > IGBT > BSM200GB120DN2

BSM200GB120DN2

Код товару: 34676
Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+4090.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM200GB120DN2

  • IGBT MODULE, DUAL, 1200V
  • Transistor Type:IGBT Module
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:200A
  • Max Voltage Vce Sat:3V
  • Power Dissipation:1400W
  • Case Style:Half Bridge 2
  • Termination Type:Screw
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Alternate Case Style:M62a
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:80`C
  • Fall Time Tf:120ns
  • Power Dissipation Pd:1400W
  • Pulsed Current Icm:400A
  • Rise Time:160ns

Інші пропозиції BSM200GB120DN2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSM200GB120DN2 Виробник : module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DN2
Код товару: 210141
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GB120DN2 BSM200GB120DN2 Виробник : Infineon Technologies infineon_infns09007-1.pdf IGBT Modules 1200V 200A DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.