BSM200GB120DN2
Код товару: 210141
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM200GB120DN2
- IGBT MODULE, DUAL, 1200V
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:200A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:1400W
- Case Style:Half Bridge 2
- Termination Type:Screw
- SVHC:Cobalt dichloride
- Alternate Case Style:M62a
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Fall Time Tf:120ns
- Power Dissipation Pd:1400W
- Pulsed Current Icm:400A
- Rise Time:160ns
Інші пропозиції BSM200GB120DN2 за ціною від 4090.00 грн до 4090.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSM200GB120DN2 Код товару: 34676
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|
||||||
| BSM200GB120DN2 | Виробник : module |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
| BSM200GB120DN2 | Виробник : Eupec | IGBT Module Half Bridge 1200 V 290 A 1400 W Chassis Mount Module Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
BSM200GB120DN2 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBT Modules 1200V 200A DUAL |
товару немає в наявності |