BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Infineon Technologies
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 350W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 350 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM50GD120DN2E3226BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM50GD120DN2E3226BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 350W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 350 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |