BSO211PH Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4A 532FCBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 532-BFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 532-FCBGA (23x23)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 903+ | 24.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSO211PH Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 532FCBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 532-BFBGA, FCBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA, Supplier Device Package: 532-FCBGA (23x23), Part Status: Active.
Інші пропозиції BSO211PH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSO211P H | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |