
BSP61E6327 Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1598+ | 14.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP61E6327 Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції BSP61E6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP61E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |