BSS169H6327 HXY MOSFET
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS169 E6327; BSS169 E6906; BSS169H6327XTSA1; BSS169H6906XTSA1; BSS169H6327 HXY MOSFET TBSS169 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS169H6327 HXY MOSFET
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 0.17A, Power dissipation: 0.36W, Case: SOT23-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 2.1nC, Application: automotive industry.
Інші пропозиції BSS169H6327 за ціною від 16.69 грн до 31.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS169 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Application: automotive industry |
на замовлення 5130 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSS169 H6327 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSS169 H6327 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSS169 H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Application: automotive industry
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 219+ | 23.57 грн |
| 300+ | 18.37 грн |
| 500+ | 17.61 грн |
| 1000+ | 17.11 грн |
| 4000+ | 16.69 грн |
| BSS169 H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 449+ | 31.57 грн |
| 467+ | 30.30 грн |
| 500+ | 29.20 грн |
| 1000+ | 27.24 грн |
| 2500+ | 24.48 грн |
| 5000+ | 22.87 грн |
| BSS169 H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)