BSS84 ON/ JCST
Код товару: 10019
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON/ JCST
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 40/ -
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни BSS84 ON/ JCST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS84 Код товару: 187507
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
UMW |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, В: 50 В Струм стоку Id, А: 0,13 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 73/0,9 Монтаж: SMD |
у наявності: 2626 шт
|
|
| BSS84 Код товару: 187507
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: UMW
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 73/0,9
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Id, А: 0,13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 73/0,9
Монтаж: SMD
у наявності: 2626 шт
- 2354 шт - склад
- 195 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 52 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.80 грн |
| 1000+ | 1.50 грн |
Інші пропозиції BSS84 за ціною від 0.67 грн до 32.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS84 | MERRY |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MERкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5997 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | HT SEMI |
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMIкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YY |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YYкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSMкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | LGE |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGEкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 11987 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YFW |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YFW |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | YFW |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 cкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | Createk Microelectronics |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CREкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | REALCHIP |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REAкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | SLKOR |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 580 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | SLKOR |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | GALAXY |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GALкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | SHIKUES |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHKкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXYкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMWкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | AnBon |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANBкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 216 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | AnBon |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANBкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSS84 | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 174 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 86350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC |
на замовлення 44423 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 86882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS84 | onsemi |
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE |
на замовлення 296436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 14423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 53 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 14423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BSS84 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 249000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84 | Fairchild/ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSS84 | HT Jinyu Semiconductor |
P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSS84 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 2430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: MERRY
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MER
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MERRY TBSS84 MER
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.67 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: HT SEMI
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Similar to: BSS84-7-F; BSS84 SOT23 HT SEMI TBSS84 HTSEMI
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.84 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YY
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84-F2-0000HF; BSS84 TBSS84 YY
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.87 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.87 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 SOT23 LGE TBSS84 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 11987 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.87 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.91 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.91 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: YFW
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS84-7-F; BSS84 _R1 _00001; BSS84 TBSS84 c
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.91 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Createk Microelectronics
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CRE
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 200mA; 720mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 CREATEK TBSS84 CRE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.94 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: REALCHIP
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REA
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS84AK,215; BSS84 SOT23 REALCHIP TBSS84 REA
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.98 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.00 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.00 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: GALAXY
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.08 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: SHIKUES
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.10 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.16 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 UMW TBSS84 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.22 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 216 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.30 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: AnBon
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.30 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.02 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.43 грн |
| 6000+ | 4.05 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3192+ | 4.43 грн |
| 6000+ | 4.05 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.82 грн |
| 6000+ | 3.73 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 86350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.03 грн |
| 6000+ | 4.37 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.91 грн |
| 6000+ | 5.80 грн |
| 9000+ | 5.73 грн |
| 12000+ | 5.42 грн |
| 27000+ | 4.77 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1998+ | 7.08 грн |
| 2128+ | 6.65 грн |
| 2277+ | 6.21 грн |
| 2447+ | 5.57 грн |
| 3000+ | 4.77 грн |
| 6000+ | 4.21 грн |
| 15000+ | 3.84 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.18 грн |
| 6000+ | 11.15 грн |
| 9000+ | 11.02 грн |
| 12000+ | 10.61 грн |
| 27000+ | 9.35 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 18.02 грн |
| 100+ | 11.54 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.3nC
на замовлення 44423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 23.22 грн |
| 28+ | 14.84 грн |
| 50+ | 10.40 грн |
| 100+ | 8.90 грн |
| 500+ | 6.35 грн |
| 1000+ | 5.55 грн |
| 1500+ | 5.14 грн |
| 3000+ | 4.54 грн |
| 6000+ | 4.05 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 23.93 грн |
| 53+ | 14.45 грн |
| 101+ | 7.51 грн |
| 107+ | 6.83 грн |
| 250+ | 5.94 грн |
| 500+ | 5.33 грн |
| 1000+ | 4.95 грн |
| 3000+ | 4.58 грн |
| 6000+ | 4.21 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 86882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.80 грн |
| 20+ | 15.00 грн |
| 100+ | 9.41 грн |
| 500+ | 6.54 грн |
| 1000+ | 5.81 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 32.65 грн |
| 41+ | 18.41 грн |
| 100+ | 11.80 грн |
| 500+ | 8.64 грн |
| 1000+ | 7.07 грн |
| 3000+ | 3.71 грн |
| 6000+ | 3.56 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE
MOSFETs SOT-23 P-CH ENHANCE
на замовлення 296436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 14423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 14423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS84 |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 1,3 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.35 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10274+ | 1.38 грн |
| 60000+ | 1.21 грн |
| BSS84 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: MULTICOMP PRO - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







