BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Case: PG-TSDSON-8, Power dissipation: 69W, Technology: OptiMOS™ P3, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain current: -40A, Drain-source voltage: -30V, On-state resistance: 8.6mΩ, Gate-source voltage: ±25V, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції BSZ086P03NS3EGATMA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ086P03NS3EGATMA | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 69W Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -40A Drain-source voltage: -30V On-state resistance: 8.6mΩ Gate-source voltage: ±25V |
товару немає в наявності |