BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Case: PG-TSDSON-8, Drain current: -40A, Power dissipation: 69W, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Technology: OptiMOS™ P3, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 8.6mΩ, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції BSZ086P03NS3EGATMA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ086P03NS3EGATMA | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Drain current: -40A Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ |
товару немає в наявності |