BSZ105N04NS G Infineon Technologies
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ105N04NS G Infineon Technologies
Description: OPTLMOS POWER-MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V.
Інші пропозиції BSZ105N04NS G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ105N04NS G | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BSZ105N04NSG | Виробник : Infineon Technologies |
Description: OPTLMOS POWER-MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |