BSZ12DN20NS3 G Infineon Technologies
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.46 грн |
| 10+ | 87.99 грн |
| 100+ | 53.85 грн |
| 500+ | 43.99 грн |
| 1000+ | 38.48 грн |
| 2500+ | 37.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ12DN20NS3 G Infineon Technologies
Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V.
Інші пропозиції BSZ12DN20NS3 G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ12DN20NS3G | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL PPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |