BSZ180P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -39.6A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ180P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Case: PG-TSDSON-8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain current: -39.6A, Drain-source voltage: -30V, On-state resistance: 18mΩ, Power dissipation: 40W, Gate-source voltage: ±25V, Technology: OptiMOS™ P3, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції BSZ180P03NS3EGATMA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -39.6A Drain-source voltage: -30V On-state resistance: 18mΩ Power dissipation: 40W Gate-source voltage: ±25V Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |