BSZ180P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ180P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -39.6A, On-state resistance: 18mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 40W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ P3, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±25V, Case: PG-TSDSON-8, кількість в упаковці: 5000 шт.
Інші пропозиції BSZ180P03NS3EGATMA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ180P03NS3EGATMA | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: PG-TSDSON-8 |
товару немає в наявності |