BSZ22DN20NS3 G Infineon Technologies
на замовлення 13702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.40 грн |
| 10+ | 71.57 грн |
| 100+ | 48.48 грн |
| 500+ | 41.12 грн |
| 1000+ | 33.47 грн |
| 2500+ | 31.56 грн |
| 5000+ | 29.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ22DN20NS3 G Infineon Technologies
Description: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V.
Інші пропозиції BSZ22DN20NS3 G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ22DN20NS3G | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL PPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |