Інші пропозиції BSZ440N10NS3G за ціною від 38.77 грн до 52.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSZ440N10NS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 29W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 9.1nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Application: automotive industry |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| BSZ440N10NS3 G | Infineon |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSZ440N10NS3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 29W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Application: automotive industry
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 112+ | 52.97 грн |
| 300+ | 45.03 грн |
| 500+ | 44.10 грн |
| 1000+ | 39.19 грн |
| 4000+ | 38.77 грн |
| BSZ440N10NS3 G |
Виробник: Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)

