Продукція > NEXPERIA > BUK9Y07-30B,115

BUK9Y07-30B,115 Nexperia


BUK9Y07_30B-2938008.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.98 грн
10+77.81 грн
100+52.72 грн
500+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK9Y07-30B,115 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 105W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BUK9Y07-30B,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BUK9Y07-30B,115 BUK9Y07-30B,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y07-30B.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y07-30B,115 BUK9Y07-30B.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.