Продукція > BRIDGELUX > BXC65R1K0D

BXC65R1K0D BRIDGELUX

Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 45W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BXC65R1K0D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 45W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 45W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 9.1nC, Kind of package: reel; tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXC65R1K0D

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BXC65R1K0D	Виробник : BRIDGELUX	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 45W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.1nC Kind of package: reel; tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.