BXF380N10D BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 110W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXF380N10D BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 110W; TO252, Mounting: SMD, Case: TO252, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 52nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 132A, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 23A, On-state resistance: 38mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 110W, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXF380N10D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BXF380N10D | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 110W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Gate charge: 52nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 132A Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |