Продукція > BRIDGELUX > BXF380N10D

BXF380N10D BRIDGELUX

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE4E56E58680D2&compId=BXF380N10D.pdf?ci_sign=67778ccbdf71c8dddc19a498822060c64e6010e8

Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 110W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 110W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BXF380N10D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 110W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 23A, Pulsed drain current: 132A, Power dissipation: 110W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 38mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 52nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXF380N10D

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BXF380N10D	Виробник : BRIDGELUX	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 110W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 132A Power dissipation: 110W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.