Продукція > BRIDGELUX > BXP13N50F
BXP13N50F

BXP13N50F BRIDGELUX

BXP13N50.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220F
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.46Ω
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.63 грн
10+58.83 грн
25+52.62 грн
100+44.23 грн
250+39.70 грн
500+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP13N50F BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO220F, Kind of package: tube, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Gate charge: 38nC, On-state resistance: 0.46Ω, Drain current: 8.1A, Pulsed drain current: 52A, Power dissipation: 51W, Gate-source voltage: ±30V, Drain-source voltage: 500V, Kind of channel: enhancement.