Продукція > BRIDGELUX > BXP13N50F
BXP13N50F

BXP13N50F BRIDGELUX

BXP13N50.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52A
Kind of package: tube
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.43 грн
10+60.16 грн
25+53.76 грн
100+45.12 грн
250+40.63 грн
500+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP13N50F BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 8.1A, Power dissipation: 51W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.46Ω, Mounting: THT, Gate charge: 38nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 52A, Kind of package: tube.