BXP13N50P BRIDGELUX


Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP13N50P BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 13A, Pulsed drain current: 52A, Power dissipation: 158W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.46Ω, Mounting: THT, Gate charge: 38nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXP13N50P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BXP13N50P Виробник : BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.