BXP2N65D BRIDGELUX


BXP2N65.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.21 грн
37+11.38 грн
41+10.22 грн
100+8.56 грн
250+7.73 грн
500+6.81 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 30 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP2N65D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 1.21A, Power dissipation: 44W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 8.5nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 8A, Kind of package: reel; tape.