Продукція > BRIDGELUX > BXP3N1KF
BXP3N1KF

BXP3N1KF BRIDGELUX

BXP3N1K.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F
Case: TO220F
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
на замовлення 783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.30 грн
10+48.95 грн
25+39.11 грн
100+29.35 грн
250+26.39 грн
500+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP3N1KF BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F, Case: TO220F, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 25W, Gate charge: 18nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 1.6A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, On-state resistance: 6Ω, Mounting: THT.