Продукція > BRIDGELUX > BXP4N60D
BXP4N60D

BXP4N60D BRIDGELUX

Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.86 грн
16+25.07 грн
25+22.40 грн
71+12.97 грн
195+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP4N60D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 2.5A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 77W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 13.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXP4N60D за ціною від 14.71 грн до 40.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BXP4N60D BXP4N60D Виробник : BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.63 грн
10+31.25 грн
25+26.88 грн
71+15.56 грн
195+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.