BXP7N65P

BXP7N65P BRIDGELUX


BXP7N65.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.82 грн
10+44.30 грн
25+39.56 грн
100+33.25 грн
250+29.92 грн
500+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP7N65P BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 3.9A, Pulsed drain current: 28A, Power dissipation: 167W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 21nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXP7N65P за ціною від 28.53 грн до 83.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BXP7N65P BXP7N65P Виробник : BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 689 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.78 грн
10+55.21 грн
25+47.48 грн
100+39.90 грн
250+35.91 грн
500+31.72 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.