Продукція > BRIDGELUX > BXP7N65P
BXP7N65P

BXP7N65P BRIDGELUX

BXP7N65.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Kind of package: tube
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.45 грн
10+45.68 грн
25+40.86 грн
36+26.91 грн
97+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXP7N65P BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 3.9A, Case: TO220, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 21nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 28A, Power dissipation: 167W, Kind of package: tube.