BXS1150N10M BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.55 грн |
| 27+ | 15.03 грн |
| 38+ | 10.53 грн |
| 100+ | 7.51 грн |
| 250+ | 3.75 грн |
| 430+ | 2.17 грн |
| 1182+ | 2.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXS1150N10M BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2.6A, Pulsed drain current: 15.6A, Power dissipation: 2.5W, Case: SOT23-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.15Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 16.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXS1150N10M за ціною від 2.46 грн до 39.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXS1150N10M | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10769 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|