Продукція > BRIDGELUX > BXS1150N10M
BXS1150N10M

BXS1150N10M BRIDGELUX

BXS1150N10M.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5027 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.82 грн
25+17.10 грн
35+11.97 грн
100+8.54 грн
250+4.27 грн
407+2.34 грн
1119+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXS1150N10M BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2.6A, Pulsed drain current: 15.6A, Power dissipation: 2.5W, Case: SOT23-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.15Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 16.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.