Продукція > BRIDGELUX > BXS130N10C

BXS130N10C BRIDGELUX

Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN56
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 13mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 208A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BXS130N10C BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PDFN56, Kind of package: reel, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 35nC, On-state resistance: 13mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 52A, Power dissipation: 57W, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 208A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXS130N10C

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BXS130N10C	Виробник : BRIDGELUX	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN56 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC On-state resistance: 13mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 52A Power dissipation: 57W Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 208A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.