BXT030N03C BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 44.6W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT030N03C BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 59A, Pulsed drain current: 360A, Power dissipation: 44.6W, Case: PDFN56, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 66nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT030N03C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BXT030N03C | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 59A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 44.6W Case: PDFN56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |