
BXT090N06B BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT090N06B BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 4.8W, Case: SOP8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 99nC, On-state resistance: 12mΩ, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 68A, Drain-source voltage: 60V, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT090N06B
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BXT090N06B | Виробник : BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 4.8W Case: SOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 99nC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Drain-source voltage: 60V Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |