Продукція > BRIDGELUX > BXT1150N10D
BXT1150N10D

BXT1150N10D BRIDGELUX

BXT1150N10D.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 12.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 135mΩ
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.67 грн
26+16.35 грн
33+13.02 грн
100+11.68 грн
131+7.26 грн
361+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 22 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT1150N10D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 64A, Power dissipation: 78W, Gate charge: 21nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 12.8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: TO252, On-state resistance: 135mΩ.