BXT1150N10D BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 19.87 грн |
| 28+ | 15.52 грн |
| 35+ | 12.33 грн |
| 100+ | 11.07 грн |
| 250+ | 9.31 грн |
| 500+ | 8.39 грн |
| 1000+ | 7.38 грн |
| 2500+ | 6.63 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
23 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT1150N10D BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 12.8A, Pulsed drain current: 64A, Power dissipation: 78W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 135mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.