Продукція > BRIDGELUX > BXT1150N10D
BXT1150N10D

BXT1150N10D BRIDGELUX

BXT1150N10D.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 78W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.14 грн
28+15.24 грн
35+12.19 грн
100+10.92 грн
250+9.14 грн
500+8.30 грн
1000+7.28 грн
2500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT1150N10D BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 12.8A, Pulsed drain current: 64A, Power dissipation: 78W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 135mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.