BXT1150N10J BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 11.74 грн |
| 44+ | 9.64 грн |
| 55+ | 7.75 грн |
| 100+ | 6.95 грн |
| 250+ | 5.80 грн |
| 500+ | 5.19 грн |
| 1000+ | 4.86 грн |
| 3000+ | 4.59 грн |
| 4000+ | 4.18 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
39 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT1150N10J BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.6A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 2W, Case: SOT89-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 135mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.