
BXT1150N10J BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT89-3
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 11.82 грн |
43+ | 9.33 грн |
53+ | 7.43 грн |
100+ | 6.64 грн |
233+ | 3.95 грн |
639+ | 3.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT1150N10J BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: SOT89-3, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 135mΩ, Power dissipation: 2W, Drain current: 5.6A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 32A, Drain-source voltage: 100V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT1150N10J за ціною від 4.48 грн до 14.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BXT1150N10J | Виробник : BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC On-state resistance: 135mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 5.6A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3952 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|