
BXT1150N10J BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 11.71 грн |
43+ | 9.25 грн |
53+ | 7.38 грн |
100+ | 6.60 грн |
232+ | 3.96 грн |
638+ | 3.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT1150N10J BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.6A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 2W, Case: SOT89-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 135mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT1150N10J за ціною від 4.48 грн до 14.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BXT1150N10J | Виробник : BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 2W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|