BXT1150N10J BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT89-3
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 135mΩ
Power dissipation: 2W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 13312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 11.53 грн |
| 46+ | 8.98 грн |
| 58+ | 7.18 грн |
| 100+ | 6.44 грн |
| 250+ | 5.38 грн |
| 500+ | 4.81 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| 3000+ | 4.25 грн |
| 4000+ | 3.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT1150N10J BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: SOT89-3, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 135mΩ, Power dissipation: 2W, Drain current: 5.6A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 32A, Drain-source voltage: 100V.