
BXT1150N10J BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
на замовлення 3964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 11.55 грн |
41+ | 9.35 грн |
52+ | 7.43 грн |
100+ | 6.67 грн |
236+ | 3.83 грн |
650+ | 3.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT1150N10J BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3, Case: SOT89-3, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 5.6A, On-state resistance: 135mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2W, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 21nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 32A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT1150N10J за ціною від 4.32 грн до 13.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BXT1150N10J | Виробник : BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3 Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|