Продукція > BRIDGELUX > BXT1150N10J
BXT1150N10J

BXT1150N10J BRIDGELUX

BXT1150N10J.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89-3
On-state resistance: 135mΩ
на замовлення 24179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.58 грн
41+10.18 грн
52+8.18 грн
100+7.34 грн
218+4.36 грн
600+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 36 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT1150N10J BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 2W, Gate charge: 21nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 5.6A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT89-3, On-state resistance: 135mΩ.