BXT1700P06M

BXT1700P06M BRIDGELUX


BXT1700P06M.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
на замовлення 1959 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.78 грн
32+12.13 грн
40+9.69 грн
100+8.62 грн
167+5.41 грн
460+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT1700P06M BRIDGELUX

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W, Case: SOT23-3, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -2.8A, On-state resistance: 0.17Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 22nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -16A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXT1700P06M за ціною від 6.13 грн до 17.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BXT1700P06M BXT1700P06M Виробник : BRIDGELUX BXT1700P06M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -16A; 1.5W
Case: SOT23-3
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.8A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.74 грн
19+15.11 грн
25+11.62 грн
100+10.34 грн
167+6.50 грн
460+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.